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Rodada de molibdênio

Existem três maneiras principais de produzir wafer redondo de molibdênio: (1) corte de fio de haste de molibdênio.
Processo:
Laminação, recozimento a vácuo
Superfície:
Superfície polida, superfície laminada a frio, superfície de lavagem alcalina
Características:
Alta temperatura e resistência à corrosão
Conteúdo de molibdênio:
99.95%
Especificações:
Customizável
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Atributo
Rodada de molibdênio
Modo de produção:
Existem três maneiras principais de produzir wafer redondo de molibdênio: (1) corte de fio de haste de molibdênio. O método de produção de haste de molibdênio com corte a fio tem menos perda geométrica e maior rendimento, mas a eficiência do corte com fio é baixa. Enquanto isso, o tamanho do grão da borda e do centro da superfície redonda é fácil de ser irregular após ser arredondado, o que ainda está em fase de pesquisa experimental. (2) Prensagem direta e sinterização de pó de molibdênio. O rendimento do método de prensagem e sinterização de pó de molibdênio é maior que (1), mas a densidade é baixa, a resistência é baixa, a estrutura do grão é um arranjo desordenado, os usuários encontrados em uso quando é laminado com pastilha de silício é fácil de rachar ou fraturar, ainda precisa ser melhorado; (3) perfuração de placa de molibdênio.
Parâmetro
Parâmetro do produto
Parâmetro
Processo Laminação, recozimento a vácuo
Superfície Superfície polida, superfície laminada a frio, superfície de lavagem alcalina
Características Alta temperatura e resistência à corrosão
Conteúdo de molibdênio 99.95%
Especificações Customizável
Aplicativo
Ampla gama de aplicações para rodadas de molibdênio
A composição química do wafer de molibdênio é estável, teor de molibdênio de até 99,9%, tamanho preciso, baixa rugosidade superficial, pode atingir Ra 1,6pum abaixo; Alto ponto de fusão, boa condutividade elétrica e térmica, alta resistência, coeficiente de expansão linear e fechamento de silício, bom desempenho de processamento, são os conjuntos completos de equipamentos do retificador de silício, dispositivos de silício semicondutores, ânodo de tubo de vácuo, material de substrato indispensável para produção de instrumentos.
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