A IT Home informou em 3 de fevereiro que, de acordo com reportagem da mídia coreana The Elec, os gigantes da memória DRAM Samsung e Micron apresentarão mais novas tecnologias na próxima geração de memória, ou seja, o processo 1c nm.
Nota: A geração 1c nm é a sexta geração 10+ nm, que a Micron também chama de processo 1γ nm. A memória mais avançada no momento é a geração de 1B nm, e a Samsung chama seu 1B nm de processo de classe de 12nm.
Choi Jeong-dong, vice-presidente sênior da empresa de análise TechInsights, disse em um workshop recente que a Micron será a primeira a introduzir molibdênio (Mo, pronunciado mù) e rutênio (pronuncia-se liǎo) no nó 1c nm. Esses dois metais serão usados como materiais de fiação para letras e bitlines de memória.
O molibdênio e o rutênio têm resistência menor que o tungstênio (W), que é usado agora, reduzindo ainda mais a largura de linha da DRAM. No entanto, o rutênio também tem seus próprios problemas: ele reage no processo para formar o tóxico tetróxido de rutênio (RuO4), o que traz novos problemas de manutenção. Choi Jeong-dong acredita que a Samsung e a SK hynix apresentarão os dois metais um pouco mais tarde, uma ou duas gerações.
A Samsung, por sua vez, expandirá ainda mais o uso do processo EUV. A Samsung foi o primeiro dos três principais fabricantes de armazenamento a introduzir o EUV e aplicou-o a camadas como linhas de caracteres e bitlines, e espera-se que as aplicações EUV sejam expandidas para 8-9 camadas em 1c nm. No caso da Micron, a litografia EUV também será importada pela primeira vez no nó de 1γ nm.
Olhando para o futuro dos processos sub-10nm, Choi Jeong-dong disse que os três principais fabricantes estão todos estudando rotas como 3D DRAM e 4F2 DRAM para alcançar maior escala, e X-DRAM proposta pela Neo Semiconductor e 1T DRAM sem capacitores também são direções possíveis.
