IT Home informó el 3 de febrero que, según un informe del medio coreano The Elec, los gigantes de la memoria DRAM Samsung y Micron introducirán más tecnologías nuevas en la próxima generación de memoria, es decir, el proceso de 1c nm.
Nota: La generación de 1c nm es la sexta generación de 10+ nm, que Micron también llama proceso de 1γ nm. La memoria más avanzada en este momento es la generación de 1B nm, y Samsung llama a su 1B nm un proceso de clase de 12 nm.
Choi Jeong-dong, vicepresidente senior de la firma de analistas TechInsights, dijo en un taller reciente que Micron será el primero en introducir molibdeno (Mo, pronunciado mù) y rutenio (pronunciado liǎo) en el nodo de 1c nm. Estos dos metales se utilizarán como materiales de cableado para las letras y líneas de bits de la memoria.
El molibdeno y el rutenio tienen menor resistencia que el tungsteno (W), que se utiliza ahora, lo que reduce aún más el ancho de línea de la DRAM. Sin embargo, el rutenio también tiene sus propios problemas: reacciona en el proceso para formar tetróxido de rutenio (RuO4), tóxico, lo que plantea nuevos problemas de mantenimiento. Choi Jeong-dong cree que Samsung y SK hynix introducirán los dos metales un poco más tarde, una o dos generaciones.
Samsung, por su parte, ampliará aún más el uso del proceso EUV. Samsung fue el primero de los tres principales fabricantes de almacenamiento en introducir EUV y lo ha aplicado a capas como líneas de caracteres y líneas de bits, y se espera que las aplicaciones EUV se amplíen a 8-9 capas en 1c nm. En el caso de Micron, la litografía EUV también se importará por primera vez en el nodo de 1γ nm.
Mirando hacia el futuro de los procesos por debajo de 10 nm, Choi Jeong-dong dijo que los tres principales fabricantes están estudiando rutas como 3D DRAM y 4F2 DRAM para lograr un mayor escalado, y X-DRAM propuesta por Neo Semiconductor y 1T DRAM sin condensadores. También son posibles direcciones.
